PRUEBAS CON LINEAL A TRANSISTOR

Hola,

Ramón, ese, ese mismo es el que necesito yo (y alguno más que yo conozco).

Eso es una alegría del carajo, poder calentar piedras y que siga funcionando, sacando sus 1200 W.
Y sin soldadura, dos tornillos y listo. Alucinante.

Para que después vengan con carayadas de transistores delicados...

Yo quiero uno, mejor dos.

73, Máximo - EA1DDO

IM-PRESIONANTE !!!!!

¿Donde se compran?, ¿donde hay un diseño para nuestras bandas con esas maravillas?. Impresionante tambien el laboratorio.

Javier
EA4FSD / EA1856URE

Pero el primero, como se fundio ,eso si sin soldar, 1200W para FM, ya pica.
Quiero saber el precio del transistor.jeje.

73

Hola,

Escribió:

Diseñado para los entornos más difíciles de la ingeniería, NXP Semiconductors NV (NASDAQ: NXPI) ha presentado hoy su nueva familia XR de "extremadamente resistente" transistores de potencia RF LDMOS. La familia XR, está diseñado, para que dure como clavos, para resistir las duras condiciones de falla a menudo en aplicaciones tales como los láseres industriales, grabado de metales y perforación de hormigón. Sobre la base de líder de NXP industria de la tecnología LDMOS, la familia se extiende XR LDMOS, en el resto de dominios pocos que son atendidos por VDMOS y los transistores bipolares de hoy. ON presentará su primer XR transistor de potencia RF, el BLF578XR , esta semana en el IEEE MTT-S Simposio Internacional Microondas 2011 (IMS2011) en Baltimore, Maryland (stand n º 420).

Repentinos y graves trastornos de carga son comunes en ciertas aplicaciones de la energía de RF. El transistor de potencia de RF se espera que sobreviva a todos, sin fallo o la degradación, a través de años de vida activa. Estas perturbaciones de carga se replican en el laboratorio por los desajustes inducir en el lado de la carga, con la gravedad de la falta de correspondencia registrada como una relación de onda de tensión (ROE). Aunque la mayoría de las aplicaciones de estación de base y difusión requieren "robusto" transistores de potencia RF para sobrevivir a un ROE de 10:1 en todas las fases, el "extremadamente resistente" BLF578XR fácilmente sobrevive VSWR repetidas pruebas de 125:1 - el nivel más alto medido por la prueba unidad. Esto es particularmente crítico para las aplicaciones ICM algunos que requieren el transistor de potencia de RF para sobrevivir a una prueba de ROE que puede superar los 100:1.

"Nuestra nueva familia extremadamente resistente ofrece robustez mejores en su clase, la apertura de nuevos mercados para la energía de RF, que antes eran impensables. La prueba de falta de coincidencia, donde hemos demostrado que la BLF578XR puede sobrevivir a un ROE de 125:1, habla por sí mismo. Para demostrar aún más cuán resistente es la XR, hemos dado un paso más para replicar una serie de condiciones de falla extrema, y ​​no hemos encontrado ningún impacto en el desempeño de la BLF578XR.Damos la bienvenida a los ingenieros de RF poder de ver esto por sí mismos - en IMS2011, en nuestro 'Unbreakable' de video y en sus propios laboratorios ", dijo Mark Murphy, director de productos de potencia de RF, NXP Semiconductors. "Como proveedor líder en volumen con más de 15 años en este mercado, NXP es seguir ampliando las fronteras en la tecnología de frecuencia de radio de alto rendimiento mediante la entrega de LDMOS líder en rendimiento con resistencia VDMOS similar y sin ningún tipo de estructura de costo adicional."

El BLF578XR nueva es una versión extremadamente resistente de BLF578 ubicua de NXP, un caballo de batalla del transistor de potencia de RF para una multitud de aplicaciones de difusión e ISM. En la mayoría de las aplicaciones, el BLF578XR será un simple plug-in de reemplazo para el BLF578.
Características técnicas

El BLF578XR características más avanzadas de NXP tecnología LDMOS, y está diseñado para aplicaciones donde se requiere robustez extrema.

Rango de frecuencia: de 0 a 500 MHz
Ganancia: 24 dB a 225 MHz
Eficiencia: 70% a 225 MHz
VSWR: 125:1 a 1200 W a través de todas las fases
Pico de potencia de salida: 1400 W (pulsos)
Térmicamente mejorado: 0.14 K / W

Disponibilidad

NXP muestras BLF578XR ya están disponibles, con un volumen de envío para comenzar en la Q3 de 2011. Más información está disponible en: http://www.nxp.com/pip/BLF578XR.html

Dicen que hay muestras disponibles.
Ramón, anímate y pídeles un par de ellos de pruebas.

73, Máximo - EA1DDO

A todo esto, el BLF578 normal ya cuesta casi 300€, así que esta versión XR... será más cara.

El primero se fundio por que es de la competencia hi, no tiene letras,
es generico.....

"Menuo" pepino, y pone que sube a 500Mhz, seria interesante un anpli para 432, ahora que barato no debe ser.
La version anterior la que no es XR tambien creo recordar que aguantaba lo suyo.
73.

Bueno bueno, tampoco os creáis todo lo que veáis y menos si es un anuncio del fabricante... Sobre el papel los híbridos de potencia que usamos el walkies y equipos también aguantan carros y carretas, sin embargo todos hemos quemado alguno.

Ademas, a esas pruebas de ROE les falta algo muy importante: Una línea de transmisión cargada con el 1.2 KW generado con el transistor. Seguro que así el resultado era bastante diferente :laugh:

Eso si, lo que me ha encantado es lo de poner y quitar el transistor unicamente con dos tornillos. ¡Eso si que es una maravilla! Ya podían usar el mismo método todos los transistores de potencia.

73!

Buenas tardes, yo tengo una duda. Si al transistor lo están alimentando con 50v y su consumo es de 10A, estaría consumiendo 500w.
¿ Es posible que con ese consumo y con una carga de 50 ohm se le puedan sacar 1200w ? :blink: :blink:

Hola,

Estaba viendo el vídeo... cuando se ve la fuente es en un par de pruebas y por lo que deduzco es que cuando el transistor ve cortocircuito o similares, se autoprotege y limita la salida, y por consiguiente el consumo.
Por lo tanto, con corto o estacionarias altas o lo que sea, el transistor debe estar dando unos 300W o menos.

73, Máximo - EA1DDO

Hola muy interesante conectar con la pajina http://rfham.com dode pone. Parts for SSPA 1KW 144 MHz prcio del kit de F1JRD 392 EUROS

Transistor MRFE6VP61K25H
Pricing include VAT for outside of EEC contact us

Transistor MRFE6VP61K25H pour amplificateur 1000 W 144 MHz selon la description de F1JRD dans le magazine DUBUS Décembre 2010
Transistor MRFE6VP61K25h for amplifier who is describing by F1JRD in Dubus magazine of december 2010
ATTENTION un transistor est un produit fragile. Il est vendu sans possibilitée de retour
Pas de support ne sera donné par nous pour la réalisation de l´amplificateur
ATTENTION Sold with no return policy
No support will be given by us to the realization of the amplifier Plus d'infos ?

234.00 €
référence article [ MRF1K25 ]

http://cgi.ebay.co.uk/ws/eBayISAPI.dll?ViewItem&item=140563377178&ssPageName=ADME:B:EF:GB:1123

http://cgi.ebay.co.uk/ws/eBayISAPI.dll?ViewItem&item=140564069565&ssPageName=ADME:B:EF:GB:1123

lastima no circulen esquemas fiables y desarrollados, para HF.

EA4EOZ escribió:

Bueno bueno, tampoco os creáis todo lo que veáis y menos si es un anuncio del fabricante... Sobre el papel los híbridos de potencia que usamos el walkies y equipos también aguantan carros y carretas, sin embargo todos hemos quemado alguno.

Ademas, a esas pruebas de ROE les falta algo muy importante: Una línea de transmisión cargada con el 1.2 KW generado con el transistor. Seguro que así el resultado era bastante diferente :laugh:

Eso si, lo que me ha encantado es lo de poner y quitar el transistor unicamente con dos tornillos. ¡Eso si que es una maravilla! Ya podían usar el mismo método todos los transistores de potencia.

73!

Me temo que eso NO lo verás con facilidad ... lo que usan en el vídeo es un zócalo de prueba, que debe valer una pasta :ohmy: y, obviamente, en producción se sueldan y a correr.

Eso sí, me han dado una idea para mi sistema de comprobación de transistores (con el trazador Tektronix 576)...

73 JOSE EB5AGV

¿Pero tú has visto el vídeo? Si es un cuadrángulo de plástico con dos agujeros. ¡Aunque fuese plástico del bueno no puede ser muy caro! El sistema es perfecto para poner un transistor de potencia sobre una placa de circuito impreso que aun no sepa lo que es el estaño.

Por cierto. Asumiendo que el transistor saca esos 1200W, y que su rendimiento sea del 70%, aun disipa casi 400W en forma de calor... ¡y no le han puesto ni una sola gota de pasta térmica! El disipador brilla que da gusto verlo donde se coloca el transistor.

Esto me hace aun desconfiar más del vídeo. Escéptico que es uno

73!

Sí, la cosa es curiosa, me ha dado por congelar la imagen entre los 0:20 y 0:40 segundos de la grabación, fijaos en los tubos con conector azul y rojo que entran y salen del disipador y cómo aseguran los tubos a los conectores con simples bridas de plastico.
Supongo que refrigeran a muy baja presión, no me imagino refrigerando con agua sin asegurar la estanqueidad, o quizás refrigeran con ¿nitrógeno?

EB5AGV escribió:

EA4EOZ escribió:

Eso si, lo que me ha encantado es lo de poner y quitar el transistor unicamente con dos tornillos. ¡Eso si que es una maravilla! Ya podían usar el mismo método todos los transistores de potencia.
73!

Me temo que eso NO lo verás con facilidad ... lo que usan en el vídeo es un zócalo de prueba, que debe valer una pasta :ohmy: y, obviamente, en producción se sueldan y a correr.

Lo que son las cosas... Hoy destripando chatarra a ver si había algo aprovechable me he encontrado con esto:

Mirando alrededor había otros transistores más pequeños con el mismo sistema:

Me he armado de valor, y he quitado los tornillos de uno de los grandes:

Igual que en el vídeo. Ni una gota de estaño, solo un poquitín de silicona térmica. La pieza lleva unas gomas que presionan las patas contra el circuito impreso:

A si que parece que sí es una forma "común" de sujetar estos transistores...

Por cierto, el animalito es un push-pull de dos MRFSP21180H, de los que no encuentro nada. ¿Alguien tiene info por ahí de este transistor?

Miguel Angel, es el MRF 5P21180H

180 wtts 2170 Mhz 28 volts

Cierto. Me he puesto tan nervioso que ni me he fijado que era un cinco :woohoo: No todos los días se encuentra uno un cacharro de semejante calibre. Los pequeños son MRF21030L, y usan el mismo sistema de sujeción.

Cuanto menos, interesante.

EA4EOZ escribió:

EB5AGV escribió:

EA4EOZ escribió:

Eso si, lo que me ha encantado es lo de poner y quitar el transistor unicamente con dos tornillos. ¡Eso si que es una maravilla! Ya podían usar el mismo método todos los transistores de potencia.
73!

Me temo que eso NO lo verás con facilidad ... lo que usan en el vídeo es un zócalo de prueba, que debe valer una pasta :ohmy: y, obviamente, en producción se sueldan y a correr.

Lo que son las cosas... Hoy destripando chatarra a ver si había algo aprovechable me he encontrado con esto:

Mirando alrededor había otros transistores más pequeños con el mismo sistema:

Me he armado de valor, y he quitado los tornillos de uno de los grandes:

Igual que en el vídeo. Ni una gota de estaño, solo un poquitín de silicona térmica. La pieza lleva unas gomas que presionan las patas contra el circuito impreso:

A si que parece que sí es una forma "común" de sujetar estos transistores...

Por cierto, el animalito es un push-pull de dos MRFSP21180H, de los que no encuentro nada. ¿Alguien tiene info por ahí de este transistor?

Vale, admitimos pulpo ... pero conste que yo me refería sobre todo a equipos de aficionado.

Eso que has destripado es claramente un equipo comercial, en el que el precio final no es tanto problema como en uno de aficionado. Este tipo de zócalo es muy útil para mantenimiento, desde luego... a ver si en KenYaeIco se animan 😆

73 JOSE EB5AGV